서버 중심의 수요 폭증과 공급의 제한적 성장 속, 메모리반도체 수요-공급 괴리율은 역사상 최대 격차로 확대되었습니다. 설비투자와 완제품 생산 간의 시차를 감안 시, 유의미한 공급 증가는 2027년 상반기까지는 나타나기 어려우며, AI 패권 장악을 위한 경쟁적 투자 기조는 지속될 것으로 보입니다. 변화된 환경에 맞춰, 가격과 이익 전망을 현실화할 필요가 있습니다. 2026년 가격 전망 상향분 (DRAM y-y +123%, NAND y-y +92%)을 반영하여 한국 메모리반도체의 합산 2026년 영업이익 전망치를 303조원에서 366조원으로 상향합니다.
유례없는 수급 괴리율을 활용하여 다양한 변화를 추진해볼 수 있는 환경입니다. 장기 수급 안정성 확대가 공급업계의 최우선 목표인 것으로 추정되며, 판매 구조에도 변화가 나타날 수 있다는 판단입니다. 기존 분기 단위 시가 협상 구조를 넘어 LTA (장기 계약), 선수금, 예치금 등을 활용한 구조 혁신을 기대합니다.
남은 고민이 있다면, 누가 스타트를 끊을지에 있을 것입니다. “남들보다 1%라도 비싸게”라는 Upcycle에서의 관행을 깨기 위한 Incentive가 필요합니다. 당사의 경우, 이번에는 변화를 모색할 Incentive가 충분하다고 생각합니다.
이익 전망 상향분을 반영하여 삼성전자와 SK하이닉스의 목표주가를 27만원, 145만원으로 상향합니다. 사이클의 변동성 축소 체감이 확대될 것으로 예상되는 만큼 2026년 P/E 기준 8.3배, 5.1배에 불과한 당사의 목표주가는 무리한 진단이 아니라는 판단입니다. 판매 구조의 변화가 현실화될 경우, 주가의 상승 탄력성은 당사 목표주가 이상으로 확대될 수 있음을 상기할 필요가 있습니다.
2026년 글로벌 메모리반도체 시장 규모 전망치를 5,632억 달러 (y-y +157%)로 상향합니다 (제품군별 시장 성장률 : DRAM y-y +175%, NAND y-y +131%). AI의 확산 속, IT 생태계는 빠르게 재편되고 있고, 메모리반도체의 위상은 나날이 높아지고 있습니다. 서버 중심의 실수요 폭증과 공급의 제한적 성장 속, 메모리반도체 수요-공급 괴리율은 역사상 최대 격차 (100%p 이상)를 보이고 있고, 이에 가격은 부르는 것이 값이 되고 있습니다. 1Q26 범용 DRAM ASP는 전분기 대비 80%, NAND ASP는 전분기 대비 47% 상승하여 분기 최대 상승률을 경신할 것으로 전망합니다. 가격 전망 상향분 (2026년 가격 전망: DRAM y-y +123%, 범용 DRAM y-y +157%, HBM y-y -3%, NAND y-y +92%)을 반영하여 한국 메모리반도체의 합산 2026년 영업이익 전망치를 303조원에서 366조원으로 상향합니다. 수익성의 경우, 2017-2018년 슈퍼사이클 당시의 고점을 돌파하며, 새로운 역사를 이룩할 것이라는 판단입니다.
현 AI 사이클의 주인공을 뽑는다면, DRAM을 빼놓기 어렵습니다. Memory Wall (연산 장치의 속도가 빨라졌음에도, 데이터를 공급하는 메모리반도체의 속도가 이를 따라가지 못해 병목이 발생하는 현상)을 극복하는 것이 AI 기술 혁신의 핵심 과제로 부각되며, DRAM 수요는 디지털 세계 (AI Computing 수요의 폭증)와 현실 세계 (서버 투자 확대, IT 디바이스 내 DRAM 탑재량 확대 등) 모두에서 눈덩이 (Snowball Effect)처럼 불어나고 있고, 우리는 역사상 보지 못한 수요-공급 괴리율을 경험하고 있습니다 (DRAM 생산: 100, 고객 DRAM 수요: 240-250). 설비투자와 완제품 생산 간의 시차를 감안 시, 지금 나타나고 있는 DRAM 품귀 현상은 단기간에 해결되기 어려울 것이라는 판단입니다.
서버 중심의 실수요 성장, 공급망 Risk 최소화를 위한 재고 확보 수요, 공급 부족 장기화에 대비한 가수요 등이 중첩되며, DRAM 수요는 눈덩이처럼 불어나고 있습니다. 일부 고객들은 2026년 DRAM 구매 TAM으로 전년대비 100% 성장까지도 제시하고 있고, 북미 하이퍼스케일 중심으로 3-5년 간의 장기 공급 계약 체결 요청이 쇄도하고 있는 상황입니다. 유례없는 공급자 우위의 가격 협상 구도 속, 1Q26 범용 DRAM ASP는 전분기 대비 80% 상승할 것으로 예상되며, 이는 단일 분기 최대 가격 상승률에 해당합니다.
수많은 데이터센터 프로젝트들이 전세계 각지에서 전개되고 있고, DRAM은 구매와 동시에 데이터센터 빌드업에 투입되고 있습니다. 이에, 서버 고객들의 보유 DRAM 재고는 현재 적정 수준 혹은 그 이하로 하락한 것으로 추정됩니다. 세트 (PC, 모바일)에서도 AI 기능 강화를 통한 교체수요 유도 목적으로 High-End 제품 중심의 DRAM 스펙 업그레이드가 나타나고 있습니다.
지난 2년간의 보수적 증설 기조와 HBM의 Capa 잠식 효과로 중장기 DRAM Capa 부족에 대한 고객들의 우려가 확대되고 있습니다. 그간의 보수적 재고 정책으로, 많은 고객들이 재고 확보에 있어 난항을 겪고 있으며, 특히, 일부 세트업체에서는 DRAM 품귀 사태로 생산 차질마저 우려하고 있는 상황입니다.
물론, 고객들의 구매 수요를 온전히 믿긴 어렵습니다. 지금과 같은 수요의 폭증 환경에서는 매번 수요의 허수 (중복 오더)가 포함되어 있었습니다. 품귀 현상이 발생하는 시점에는 공급망 안정화가 1순위 과제가 되며, 실수요 대비 많은 물량을 요구해오기 마련입니다. 고무적인 점은 공급업계의 대응 방식과 생산 환경이 변했다는 점입니다.
공급업계는 과거의 Lesson (중복 오더 Risk)을 기반으로 수요의 허수를 공격적으로 제거하고, 사업 계획을 수립 (수요의 허수를 공격적으로 제거해도, 2026년 DRAM 수요 성장률은 전년대비 30% 이상 성장)하고 있으며,
2026년 DRAM 생산은 전년대비 24% 성장 수준으로 제한될 것으로 전망합니다. 고객들의 강한 수요 환경에 발맞춰, 공급업계도 생산 극대화 정책 (Capex의 상향, 가동률 극대화 등)을 펼치고 있으나, 공급 여건을 감안 시, 유의미한 생산 증가는 2027년 상반기 이후에나 나타날 것이라는 판단입니다.
다수의 신공장 프로젝트가 전개되고 있으나, 신공장의 생산 기여는 2027년 상반기 이후에나 본격화될 것으로 전망합니다.
HBM3e와 HBM4가 최선단공정 Capa (DRAM 1b, DRAM 1c)를 잠식하고 있고, 2026년 하반기부터는 HBM4e Sample 출하가 시작될 것으로 전망합니다. Trade Ratio (HBM과 범용 DRAM의 생산 교환 비율)가 추가 확대될 변화이며, 이에, HBM의 선단공정 Capa 잠식 효과는 추가 확대될 것이라는 판단입니다. 중장기 관점에서 생각해볼 이슈가 있다면, Tech Migration 효과의 둔화일 것이라 생각합니다. DRAM 미세화가 한계점에 봉착하고 있으며, 이에 기술 고도화 속도는 당초 예상 대비 둔화될 수 있습니다. 물질의 변화, Vertical Gate, 3D 구조로의 전환 등의 기회를 모색 중이나, 신공정 도입 시점 상의 불확실성은 지속 확대되고 있는 것으로 추정됩니다.
| 구분 | 사이클의 방향성 | 내용 |
|---|---|---|
| 1Q91-4Q95 | 상승 사이클 (Super Cycle) |
|
| 1Q96-2Q98 | 하락 사이클 |
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| 3Q98-3Q00 | 상승 사이클 (IT 버블) |
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| 4Q00-3Q01 | 하락 사이클 |
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참고: 사이클은 매출액 기준으로 구분
| 구분 | 사이클의 방향성 | 내용 |
|---|---|---|
| 4Q01-4Q06 | 상승 사이클 |
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| 1Q07-1Q09 | 하락 사이클 |
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| 2Q09-2Q10 | 상승 사이클 |
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참고: 사이클은 매출액 기준으로 구분
| 구분 | 사이클의 방향성 | 내용 |
|---|---|---|
| 3Q10-4Q12 | 하락 사이클 |
|
| 1Q13-4Q14 | 상승 사이클 |
|
| 1Q15-2Q16 | 하락 사이클 |
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참고: 사이클은 가격 기준으로 구분
| 구분 | 사이클의 방향성 | 내용 |
|---|---|---|
| 3Q16-3Q18 | 상승 사이클 (Super Cycle) |
|
| 4Q18-4Q19 | 하락 사이클 |
|
| 1Q20-3Q21 | 상승 사이클 |
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| 4Q21-2Q23 | 하락 사이클 |
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참고: 사이클은 가격 기준으로 구분
삼성전자는 4Q25 실적발표에서 2026년 메모리반도체 Capex가 전년대비 유의미하게 상향될 수 있다는 메시지를 전달했습니다. 금번 Capex 상향의 배경은 크게 3가지로 판단됩니다.
시장 일각에서는 금번 메시지에 과거와 같은 생산 급증을 우려하는 모습입니다. 하지만, 지나친 우려는 기우입니다. 유의미한 생산 증가는 2026년에 나타나기 어려우며, 삼성전자의 2026년 DRAM 생산 증가율은 전년대비 23% 성장으로 제한될 것이라는 판단입니다.
현 Capex의 상향 중 많은 부분은 인프라 투자의 증가로 설명 가능합니다. 단기 생산을 급격히 늘리기엔 클린룸이 부족하며, AI 수요 장기화에 대비하여 Fab Space를 사전에 확보하려는 차원에서 신공장 (P4L, P5L) 준공 일정을 앞당기고 있는 것으로 판단됩니다.
추가 증산을 위해 선택할 수 있는 방안이 있다면, 화성 사이트의 DRAM 1c 조기 전환입니다. 하지만, 2026년에 급격한 DRAM 1c 전환투자를 집행하긴 어려운 상황이며, 화성 사이트 내 DRAM 1c 전환투자는 2027년 구간부터 시작될 것이라는 판단입니다.
Capa 증설을 통한 생산 증가가 제한되는 상황에서 보유 재고도 정상 수준 이하로 하락한 만큼 (4Q25 말 기준 DRAM 재고 3-4주로 추정), 이번에도 가동률 극대화 정책은 시행될 것이라 생각합니다. 그간 DRAM 점유율이 하락해왔고, 이렇게 좋은 업황에서 출하 기준 점유율에서 손실을 보고 싶지는 않을 것이기 때문입니다. 하지만, 금년에는 가동률 극대화가 가져올 생산 증가 폭이 제한적일 것이라 생각합니다. 라인 배열도 복잡해졌고, 기술 난이도 상승으로 수율을 급격히 끌어올리는 일도 쉽지 않습니다. 전환투자를 연중 지속하는 만큼 이에 따른 실 Capa Loss 효과도 감안할 필요가 있습니다.
보유 재고도, 생산 증가도 제한적인 환경인 만큼, 범용 DRAM ASP 상승률 극대화 및 HBM 경쟁력 확대 등을 통해 초과성장 기회를 모색할 가능성이 높다는 판단입니다. 목표하고 있는 영업이익 1등 탈환에도, 점유율 방어 관점에서도 해당 전략이 가장 현실성이 높은 시나리오라 생각하며, 연중 실리 중심의 경영 기조가 이어질 것으로 전망합니다.
SK하이닉스도 삼성전자와 마찬가지로 4Q25 실적발표에서 2026년 Capex의 유의미한 상향을 발표했습니다. 당사의 경우, SK하이닉스의 2026년 Capex가 30조 후반으로 성장할 것으로 전망합니다. 금번 Capex 상향의 배경은 크게 4가지인 것으로 판단됩니다.
달라진 점이 있다면, Capex 정책입니다. Capex의 상향 속에서도, Capex Discipline (Capital Intensity의 3개년 이동평균을 30% 중반으로 제어)은 지켜갈 것을 발표했습니다. AI 수요의 추가 상향 가능성에 대비하여, 장비 오더를 상향하고, 신공장 준공 일정은 앞당기되, 시황에 따라 생산 대응은 유동적으로 해나갈 것이라는 판단입니다.
M15x의 경우, 연초 초도 웨이퍼 투입이 시작된 것으로 추정됩니다. HBM 생산 대응 목적으로 세워진 신공장인 만큼 HBM3e/HBM4 양산에 필요한 DRAM 1b 공정으로 초기 Capa 셋업이 이뤄질 전망이며, 2026년 말 Capa는 월 60K까지 상승할 것이라는 판단입니다. 관련 장비 오더의 경우, 급격한 수급 변동에 대비하여 Design Capa를 모두 채우는 수준까지 진행한 것으로 추정되나, 셋업은 수급 환경에 맞춰 전개할 것으로 전망합니다. 용인 1기의 경우, 2027년 2월로 준공 완료 시점이 앞당겨진 것으로 판단됩니다. 다만, 첫 가동 사이트인 만큼 생산에 필요한 제반 환경 마련에 시간이 소요될 수 있다는 점, 웨이퍼 리드타임이 평시 대비 길어질 수 있다는 점 등을 감안할 필요가 있습니다.
중장기 Advanced Packaging 수요 대응을 위해, 청주 P&T 7 공장과 미국 Indiana 후공정 공장 준공을 진행 중입니다. 신공장의 생산 기여 시점이 2027-2028년 구간이라는 점을 감안 시, 신공정 가동 전 Brownfield 투자가 일부 전개될 수 있다는 판단입니다.
| 구분 | 내용 |
|---|---|
| 후공장 사업장 현황 | 이천 사업장, 청주 사업장에서 후공장 공장을 운영 중. Hi Tech (중국 내 위치, 지분투자), 하나마이크론 VINA 공장 등에서 위탁생산을 일부 진행 중. |
| Greenfield 프로젝트 |
|
| 향후 방향성 | HBM Capa 증가에 따른 후공정 공장 Space 부족 현상을 타파하고, 전공정 Fab Space를 보다 효율화할 목적으로 Brownfield 투자 혹은 외주 물량 확대 (OSAT)를 추진할 가능성 |
Micron Technology의 FY2026 Capex는 전년대비 53% 성장한 210억 달러에 이를 것으로 전망합니다. 현재 다수의 Greenfield 프로젝트를 전개하고 있으며, 2027-2028년 구간의 생산 제약 환경에 대비하기 위해 PSMC P5 공장 인수를 결정한 상황입니다.
Micron Technology의 2026년 DRAM 생산은 전년대비 22% 성장에 머무를 것으로 전망합니다. 기존 Fab Space의 한계를 감안할 필요가 있습니다.
Tongluo에 위치한 PSMC의 P5 공장을 인수할 계획입니다. 인수 금액은 총 18억 달러이며, 현재 인수를 위한 LOI (Letter of Intent)를 체결한 상황입니다. 2Q26 내 계약이 완료되고, 2H27부터 생산 기여가 본격화될 것이라는 판단입니다. 초기 가용 Fab Space는 월 40K 수준인 것으로 추정됩니다. 2H27 월 15K 내외 Capa 셋업 후, 단계적 Capa 상향이 나타날 것이라는 판단입니다. 웨이퍼 리드타임을 감안 시, 완제품 생산 기여는 2027년 말-2028년 초 구간부터 본격화될 것으로 전망합니다.
| 구분 | 내용 |
|---|---|
| 중장기 계획 |
|
| 2026년 인프라 투자 | 신공장 준공 중심으로 인프라 투자를 확대 중. Capex 증분의 많은 부분이 인프라 투자의 확대에서 기인하고 있는 것으로 추정. |
| 후공정 |
|
생산을 늘리는 방식에는 크게 3가지가 존재합니다. 1) Capa 확대, 2) Tech Migration (공정 세대 전환)을 통한 웨이퍼당 생산성 개선, 3) 가동률 극대화가 그 대상입니다. 이중, Tech Migration 효과는 중장기적으로 둔화될 것으로 전망합니다. 물질의 변화, Vertical Gate, 3D 구조로의 전환 등의 기회를 모색 중이나, 신공정 도입 시점 상의 불확실성은 지속 확대되고 있는 것으로 추정됩니다.
| 2014 | 2015 | 2016 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1Q | 2Q | 3Q | 4Q | 1Q | 2Q | 3Q | 4Q | 1Q | 2Q | 3Q | 4Q | |
| 삼성전자 | 25nm | 20nm | 1x | |||||||||
| SK하이닉스 | 25nm | 21nm | ||||||||||
| Micron Technology | 25nm | 20nm | ||||||||||
| CXMT | ||||||||||||
| 2017 | 2018 | 2019 | ||||||||||
| 1Q | 2Q | 3Q | 4Q | 1Q | 2Q | 3Q | 4Q | 1Q | 2Q | 3Q | 4Q | |
| 삼성전자 | 1y | 1z | ||||||||||
| SK하이닉스 | 1x | 1y | ||||||||||
| Micron Technology | 1x | 1y | 1z | |||||||||
| CXMT | 19nm | |||||||||||
| 2020 | 2021 | 2022 | ||||||||||
| 1Q | 2Q | 3Q | 4Q | 1Q | 2Q | 3Q | 4Q | 1Q | 2Q | 3Q | 4Q | |
| 삼성전자 | 1a | |||||||||||
| SK하이닉스 | 1z | 1a | ||||||||||
| Micron Technology | 1a | 1b | ||||||||||
| CXMT | 19nm | |||||||||||
| 2023 | 2024 | 2025 | ||||||||||
| 1Q | 2Q | 3Q | 4Q | 1Q | 2Q | 3Q | 4Q | 1Q | 2Q | 3Q | 4Q | |
| 삼성전자 | 1b | 1b prime | 1c | |||||||||
| SK하이닉스 | 1b | 1c | ||||||||||
| Micron Technology | 1c | |||||||||||
| CXMT | 16nm | 16nm* | ||||||||||
그 어느 때보다 강력한 가격의 상승 효과 속, DRAM 수익성은 2017-2018년 슈퍼사이클 당시의 고점을 넘어 새로운 역사를 써내려갈 것으로 전망합니다. DRAM 3사 기준 CY4Q25 범용 DRAM 영업이익률은 이미 60%를 넘어서기 시작했고, 강한 가격 반등에 기반한 이익의 레버리지는 연중 지속될 것이라는 판단입니다. 새로운 역사가 펼쳐지고 있고, 이는 반도체 Hegemony가 DRAM 중심으로 움직이고 있다는 점을 시사합니다.
2026년 HBM 시장 규모는 2023년 글로벌 DRAM 시장 규모 (479억 달러로 추정)를 상회하는 581억 달러 (전년대비 72% 성장)에 이를 것으로 전망합니다. 1) AI Capex의 상향, 2) 2.5D Packaging Capa의 확대 (GPU와 ASIC 출하 성장 강화), 3) 신제품 출시에 따른 제품 믹스 개선 효과 (2026년 HBM4, 2027년 HBM4e) 등에 힘입어 장기 성장의 윤곽 또한 뚜렷해지고 있다는 판단입니다. 이에 발맞춰, 고객들의 움직임도 빨라지고 있습니다. 중장기 DRAM Capa 부족에 대한 우려, 범용 DRAM과 HBM의 수익성 역전 현상 등에 대비하여 2026년 주력 제품인 HBM3e와 HBM4 오더를 상향하고 있으며, 주요 HBM 고객사의 경우, 2028년까지의 장기 물량 Forecast를 최근 상향한 것으로 추정됩니다.
2026년 HBM 출하량은 전년대비 78% 성장한 381억 Gb에 이를 것으로 전망합니다. 구제품 (HBM3e)과 신제품 (HBM4) 수요의 동반 성장 속, 전체 DRAM 출하량 내 HBM 비중은 2025년 7%에서 2026년 10%로 상승할 것이라는 판단입니다.
HBM2e와 HBM3는 2025년을 기점으로 단종될 것으로 전망합니다. 재고 판매가 일부 있을 수 있으나, 중국향 직접 판매가 어려운 만큼, 물량은 극소량에 그칠 것이고, DRAM Capa가 타이트한 만큼 생산은 HBM3e와 HBM4로만 전개될 것이라는 판단입니다. 2026년 HBM3e 출하량의 경우, TSMC의 CoWoS Capa Ramp up 가속화 속, GPU와 ASIC의 실 출하 물량 상향에 힘입어 전년대비 16% 성장할 것으로 전망합니다. 물량 관점에서 Upside Risk가 있다면, 2가지 (중국향 GPU 판매 재개, Rubin CPX의 출시)입니다.
HBM4의 경우, 전작과 마찬가지로, 만드는 만큼 팔릴 것으로 전망합니다. 첫 제품인 만큼, 보유 재고를 정상 수준 이상으로 가져갈 가능성이 높으며, 1H27까지 신형 GPU 출하를 공격적으로 가져갈 계획인 만큼, 실수요 대비 더 많이 구매를 할 것이라는 판단입니다.
당사 Channel Check에 따르면, GPU 업계와 ASIC 업계 모두 2026년 HBM 오더를 상향하고 있는 것으로 추정됩니다. 중장기 DRAM 공급 부족 및 범용 DRAM과 HBM의 수익성 역전 현상 등에 대비한 공급망 안정화 정책의 일환이며, TSMC의 CoWoS Capa Ramp up 가속화를 활용하여 AI 가속기 판매 극대화 정책을 펼칠 것이라는 판단입니다.
HBM4의 경우, 제품 인증 시점에서는 삼성전자가, 연간 점유율에서는 SK하이닉스가 우위를 보일 것이라는 기존 입장을 유지합니다.
삼성전자의 경우, 2월 12일 초기 양산 물량 출하를 공식화했으며, 제품 인증 스케줄이 DRAM 3사 중 가장 빠른 것으로 판단됩니다. 경쟁사 대비 선단공정을 적용하여 속도 뿐 아니라 약점이었던 소비 전력을 크게 개선한 것으로 추정됩니다. SK하이닉스와 Micron Technology의 경우, 3월 내로 제품 인증을 마무리할 것으로 전망합니다.
2026년 HBM4 시장 점유율 (출하량 기준)의 경우, SK하이닉스 44%, 삼성전자 38%, Micron Technology 18%의 구도를 보일 것으로 전망합니다.
2026년 하반기부터 HBM4e (Mono Die 용량: 32Gb) Sample 출하가 본격화될 것으로 전망합니다. HBM4e부터 달라지는 점이 있다면, 시장의 분화입니다. 범용 제품 (Standard) 뿐 아니라, 고객사별 요구 스펙에 맞춘 Custom 제품 시장이 열릴 것이라는 판단입니다.
Mono Die 용량이 24Gb에서 32Gb로 상승할 것으로 예상되며, 단일 Die 내에서 고용량을 구현해야 하는 만큼 Net Die (웨이퍼당 생산성)와 수율 Loss도 커질 수 있습니다. HBM4 대비 선단공정 Capa 잠식 효과가 확대된다는 의미입니다.
Custom HBM과 zHBM 개발을 병행하고 있는 것으로 추정됩니다. Custom HBM의 경우, GPU와 HBM 간의 절대 거리를 추가 축소하여 데이터 병목 현상을 추가 개선하는 방향으로 기술 개발이 이뤄지고 있는 것으로 추정되며, GPU 위에 HBM을 Direct로 연결하는 zHBM 컨셉 개발이 병행되고 있는 것으로 판단됩니다.
당초, HBM4는 JEDEC 표준에 맞춰 I/O Speed 8.0Gbps를 기준으로 개발이 이뤄져왔습니다. 신제품 개발 과정에서, 고객은 I/O Speed 추가 상향을 통한 Bandwidth의 확장 가능성을 확인했고, 고객 요청에 따라, I/O Speed 스펙은 현재 11.7Gbps까지 상향된 상태입니다. 당사의 경우, 2Q26까지의 HBM4 제품 대응 환경에 따라, I/O Speed 스펙이 2가지 (10.6Gbps, 11.7Gbps)로 분화될 가능성이 존재한다고 생각합니다. Base Case는 모두가 11.7Gbps를 공급하는 안이나, 공급망 안정화가 최우선 가치인 만큼, 경우에 따라, 10.6Gbps 제품도 채용하는 환경이 펼쳐질 가능성이 있다는 판단입니다.
Grace CPU와 달리, Vera CPU에서는 SO-CAMM2가 채용될 예정입니다. 새로운 폼팩터를 적용하는 만큼, 부가가치를 드높일 수 있는 길이며, 현재 주요 공급업체들이 제품 인증을 완료하고, 초도 양산에 돌입한 것으로 추정됩니다. 당사의 경우, Nvidia의 AI CPU (Grace CPU, Vera CPU) 향 DRAM TAM이 2026년에 230억 Gb 내외까지 확장될 것으로 전망합니다. 삼성전자가 40% 초중반, SK하이닉스와 Micron Technology가 20% 후반의 점유율을 차지할 것이라는 판단입니다.
GTC 2026에서 AI 가속기향 신형 DRAM이 다량 공개될 것으로 전망합니다. HBM4 뿐 아니라, HBM4e의 방향성을 엿볼 수 있을 것이고, AI CPU 향 신형 DRAM으로 SO-CAMM2 실물이 공개될 것이라는 판단입니다.
| HBM3 | HBM3e | HBM4 8단 | HBM4 12단 | HBM4 16단 | HBM4e 16단 | HBM4e 20단 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 삼성전자 | |||||||
| 전공정 (Base Die) | DRAM1z | DRAM 1a | SF4 (4nm) | SF4 (4nm) | SF4 (4nm) | SF2 (2nm) | SF2 (2nm) |
| 전공정 (Core Die) | DRAM1z | DRAM 1a | DRAM 1c | DRAM 1c | DRAM 1c | DRAM 1c | DRAM 1c |
| 후공정 | TC-NCF | TC-NCF | TC-NCF | TC-NCF | TC-NCF | TC-NCF | TC-NCF+HCB or HCB |
| SK하이닉스 | |||||||
| 전공정 (Base Die) | DRAM1z | DRAM 1b | TSMC 12nm | TSMC 12nm | TSMC 12nm | TSMC 3/12nm * | TSMC 3/12nm * |
| 전공정 (Core Die) | DRAM1z | DRAM 1b | DRAM 1b | DRAM 1b | DRAM 1b | DRAM 1c | DRAM 1c |
| 후공정 | MR-MUF | MR-MUF | MR-MUF | MR-MUF | MR-MUF | MR-MUF | MR-MUF |
| 마이크론 | |||||||
| 전공정 (Base Die) | - | DRAM 1b | DRAM 1b | DRAM 1b | DRAM 1b | TSMC 3/12nm * | TSMC 3/12nm * |
| 전공정 (Core Die) | - | DRAM 1b | DRAM 1b | DRAM 1b | DRAM 1b | DRAM 1c | DRAM 1c |
| 후공정 | TC-NCF | TC-NCF | TC-NCF | TC-NCF | TC-NCF | TC-NCF | TC-NCF+HCB or HCB |
참고: * Custom HBM의 경우, 3nm로 Base Die를 일부 양산할 것으로 추정. Standard HBM의 경우, 12nm 활용할 것으로 예상.
2026년 NAND 시장 규모 전망치를 1,603억 달러 (y-y +131%)로 상향합니다. NAND에서 Surprise가 발생할 것이라는 기존 입장을 재확인합니다.
그간 NAND 공급업계는 2가지 부분을 고민해왔습니다. 수요 관점에서 보면, PC와 모바일 등 전통 응용처에서의 수요 성장 둔화 (탑재량 증가율의 둔화)로 중장기 수요 성장률이 하향될 수 있다는 점이 고민거리였고, Bottom up 관점에서 보면, 중국 YMTC의 고성장이 고민거리였습니다. 이에, 공급업계는 2022년 이후 Capex Discipline 강화를 기반으로 한 절제된 증산 기조로 노선을 선회했고, 보수적 공급 대응 기조를 유지해왔습니다.
고무적인 부분이 있다면, NAND 수요의 그린라이트가 서버 진영에서 다량 펼쳐지고 있다는 점입니다. HDD 공급 부족이 1차적으로 eSSD의 서버 침투율 확대를 이끈 가운데, AI 추론의 확산 속, Computing 효율 극대화에 대한 요구가 높아지며, Storage의 역할이 강조되고 있습니다. Nvidia의 경우, Key Value Cache를 SSD로 일부 Offloading하는 방안 (ICMS: Inference Context Memory Storage)을 이야기하고 있고, 현재 고부가 신형 SSD (Gen 6 Controller 탑재) 제품 인증을 진행하고 있는 것으로 추정됩니다.
이에, 서버에서의 강한 수요 증가 효과가 세트향 수요 둔화 우려 (메모리반도체 인플레이션에 따른 세트 출하량 부진, 탑재량 증가율 둔화 등)를 불식시키고 있습니다. NAND 또한 DRAM과 마찬가지로 수요-공급 괴리율의 확장이 지속되고 있으며, 수급 괴리율은 2Q26에 추가 확대될 것으로 전망합니다.
| 구분 | 내용 |
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| 개요 |
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| 성능 향상 |
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DRAM과 다른 점이 있다면, 공급업계의 대응 방식입니다. 서버에서의 수요 성장 기회를 기반으로 생산을 적극적으로 늘리기보다는 절제된 증산 기조를 이어가겠다는 방침입니다. 점유율보다는 수익성 및 장기 수급 안정성을 우선시하겠다는 것이며, 신규 Capa 증설보다는 감가상각비 부담이 적은 전환투자와 서버 중심의 제품 믹스 전환 등으로 보수적인 생산 대응에 나설 것으로 전망합니다.
DRAM과 다른 점이 있다면, 클린룸 Space 자체가 부족한 것이 아니라는 점입니다. 생산은 늘릴라고 하면 늘릴 수 있는 환경이며, 공정전환에 따른 넷다이 증가 효과 또한 DRAM 대비 크다 (전세대 대비 30-40% 성장). 문제는 생산이 급증하기 시작하면 수급 환경 역전 가능성도 그만큼 확대될 수 있다는 점입니다. 가수요 및 재고 축적 수요가 급격히 하락하여 수급 환경이 역전될 수 있고, DRAM과 비메모리반도체 가격 상승으로 반도체 재료비 제어 니즈가 극대화된 환경인 만큼, 고객들은 이를 활용하여 단가 인하 압력을 확대할 가능성도 있습니다. 이에, 당장의 점유율을 위한 과도한 증산보다는 절제된 Capex에 기반한 수익성 및 장기 수급 안정성 중심의 경영 기조를 펼치고 있는 것으로 판단됩니다.
YMTC를 제외하고, 모두가 신규 투자를 하지 않을 계획입니다. Kioxia에서 K2와 Y7 공장 중심으로 신규투자를 일부 전개할 것으로 예상되나, 노후 공장에서의 Capa Down을 만회하기 위한 보완적 투자의 성격이 강한 것으로 판단됩니다.
강한 가격 상승 속, 한국 반도체의 범용 DRAM 영업이익률은 1Q26 80% 초반, 2Q26 80% 중반까지 상승할 것으로 전망합니다. 이는 2017-2018년 슈퍼사이클 당시의 고점을 크게 상회하는 수준으로 글로벌 제조업 역사상 유례를 찾기 힘든 수준의 수익성에 해당합니다. 시장의 고민이 있다면, 기저 부담이 그만큼 높아졌다는 점일 것이라 생각합니다.
범용 DRAM의 경우, 지난 15년간, Gb당 1달러가 가격의 천장 (Ceiling)으로 작동해왔습니다. 2Q26에 Gb당 ASP가 1달러에 도달할 것으로 예상되는 만큼, 시장은 고객들의 가격 저항이 심화될 수 있다는 점을 우려하고 있을 것이라 생각합니다.
서버 DRAM 가격이 폭등하고 있습니다. 64GB RDIMM의 경우, 2025년 6월에는 고정가격이 250달러 내외에서 형성되었으나, 2025년 11월에는 400달러 중반, 2025년 12월에는 최고가 기준 650달러까지 가격이 폭등한 상황입니다. 2026년에도 가격의 급등세는 멈출 기미를 보이고 있지 않습니다. 중화권 서버 고객들은 750달러 이상의 가격까지도 수용하고 있고, 어느덧, 900-1,000달러까지도 가격의 상방을 열어둬야 하는 환경이 도래했습니다. 이에, 고객들의 가격 저항이 심화되고 있습니다. 일부 북미 하이퍼스케일 업체들의 경우, 연간 DRAM 구매 Budget을 1Q26에 다 쓸 것 같다는 우려를 표출하고 있고, DRAM 가격의 폭등이 AI 투자의 추가 확장을 저해할 수 있다는 입장을 전달하고 있습니다. DRAM 구매의 필요성에는 모두가 동의하고 있으나, 가격 인상의 강도를 낮춰줄 것을 요구하고 있는 것이고, 이에 대한 Incentive로, 3-5년간의 장기공급계약 체결 옵션을 제시하고 있는 것으로 추정됩니다. 2026년까지는 적정 수준의 가격 인상을 수용하겠다는 입장이나, 2027년부터는 가격 인상을 멈출 것을 한 목소리로 외치고 있는 것으로 판단됩니다.
메모리반도체 인플레이션으로 세트 업계의 BoM Cost (재료비) 부담이 극대화되고 있습니다. 보유 재고가 부족한 만큼, 메모리반도체 구매를 무한정 줄이기도 어려운 상황입니다. 이에, 세트 업계는 2가지 방향으로 돌파구를 찾으려는 모습입니다.
| 구분 | 1Q25 기준 (갤럭시 S25 Ultra) | 1Q26 예상 (갤럭시 S26 Ultra) | Detail |
|---|---|---|---|
| Wholesale Price | 1,085 | 1,085 | 가격 동결 가정 |
| GPM (%) | 46 | 39 | |
| Device Cost | 588 | 666 | |
| BoM Cost | 581 | 659 | |
| DRAM* | 27 | 76 | 기간 내 가격 180% 상승 가정 |
| BoM Cost 내 비중 (%) | 5 | 12 | |
| NAND** | 37 | 67 | 기간 내 가격 80% 상승 가정 |
| BoM Cost 내 비중 (%) | 6 | 10 | |
| 기타 | 516 | 516 | 메모리반도체 외 재료비 동결 가정 |
참고: *12GB LPDDR5x **512GB UFS 4.0
현 예상 시나리오대로라면, 2Q26 한국 메모리반도체의 영업이익률은 범용 DRAM 80% 중반, NAND 50% 중반에 이를 것으로 예상됩니다. 2017-2018년 슈퍼사이클의 고점을 모두 크게 상회하는 수준이며, 제조업의 특성을 감안 시, 범용 DRAM 기준 80%대의 영업이익률이 지속 가능할지에 대한 의문이 심화될 수 있을 것이라 생각합니다.
사상 초유의 메모리반도체 호황을 맞이한 가운데, 우리는 2가지 시나리오를 생각해볼 수 있을 것이라 생각합니다. 1) 기존과 같은 분기 단위 시가 계약 구조를 지속하는 방안, 2) LTA (장기 계약), 선수금, 예치금 등으로 판매 구조를 개편하는 방안이 그 대상입니다.
공급자 우위의 현 수급 환경을 적극 활용하여 가격 인상 폭을 극대화하는 선택을 해볼 수 있을 것이라는 판단입니다. 기존과 같은 분기 단위의 시가 계약 구조로 추가적인 가격 인상을 유도하고, 이익을 지속 극대화하는 방안에 해당합니다.
현 반도체 수급만을 감안 시, Power Game에서 메모리반도체 공급업계가 패배할 가능성은 크지 않다고 생각합니다. 공급 제약은 달라진 생산의 메커니즘을 감안 시 단기에 풀리기 어렵고, AI 패권 장악을 위한 투자 전쟁은 지속되고 있습니다. 단순 수급만을 변수로 삼을 경우, 2027년 말까지 가격 상승 사이클은 지속 펼쳐질 수 있을 것이라 생각합니다.
우리가 기억해야 할 사실이 있다면, 반도체 사이클이 수급 논리로만 움직이지는 않는다는 점입니다. 2020년 대 이후, 반도체는 전략 자산으로 거듭났고, 단순 수급 뿐 아니라, 다양한 외생 변수들이 사이클을 결정짓는 핵심 인자로 작용하곤 했습니다. 현 시점에서 예상해볼 수 있는 외생 변수가 있다면, 2가지라 생각합니다.
다양한 외생 변수가 발생한다면, 주식시장에서 느끼는 불안감 또한 커질 수 있을 것이라 생각합니다. 그렇다면, Power Game을 지속하는 것이 주가 관점에서는 100% 긍정적 변화가 아닐 수 있다는 판단입니다.
지금과 같은 극한의 수급 괴리율에선 다양한 정책적 변화를 시도해볼 수 있습니다. 메모리반도체 공급업계 입장에서는 기존 분기 단위 시가 계약이 아닌 장기 수급 안정성 강화를 위해 판매 정책의 변화 (법적 구속력을 겸비한 다년 공급 계약, 선수금/예치금 등을 활용한 선계약 후증설/후 물량 공급 구조 등)를 시도해볼 수 있을 것이라는 판단입니다. 때마침, 이해관계가 맞아 떨어지고 있습니다. AI 패권 장악을 위한 투자 경쟁과 메모리반도체 인플레이션 속, 서버 고객들을 중심으로 다년 계약 (GPU: 3년 계약, 하이퍼스케일: 3-5년 계약) 요청이 쇄도하고 있고, 메모리반도체 공급업계도 지난 날의 기억 (Downcycle에서 경험했던 Cash Burning)과 중국 반도체의 침투 속도 둔화 등의 목적으로 장기 수급 안정성 강화를 최우선 지향점으로 삼을 유인이 커지고 있습니다. 당사는 2Q26부터 위와 같은 판매 구조의 변화가 보다 구체화될 것이라 생각합니다. 구조 변화에 대한 기대감 속, 메모리반도체 Valuation은 추가 상승 가능할 것이고, 이는 당사가 메모리반도체 주식에 대한 매수의견을 유지하는 핵심 배경입니다.
최근 메모리반도체 실적발표에서 공급업계는 공통적으로 다년 계약 (Multi-year LTA)를 언급했습니다. 법적 구속력을 강화한 LTA 체결로 장기 수급 안정성을 높이기 위한 시도이며, 사이클 변동성이 큰 메모리반도체 산업 관점에서 반가운 변화라 볼 수 있습니다. 하지만, 투자자들은 그 실효성에 대해 의문을 품고 있을 것이라 생각합니다. 다년 계약 체결 시도가 처음 있는 현상은 아니기 때문입니다.
과거의 Lesson을 기반으로, 금번에는 다른 방향으로 LTA 협의를 진행할 것이라 생각합니다. 다년 계약 체결과 더불어, 매년 상반기 물량과 가격을 Fix하고, 하반기에만 유동성을 부여 (웨이퍼 투입 축소를 통해 탄력적 생산 대응이 가능)하는 등의 옵션이 제시될 수 있고, 과거 대비 높은 법적 구속력을 기반으로 계약의 신빙성을 높이려는 시도도 해볼 수 있을 것이라는 판단입니다. 그렇다면, 시장이 느끼는 장기 사이클에 대한 신뢰도는 보다 증폭될 것이라 생각합니다.
선수금, 예치금 제도도 적극 활용해볼 수 있습니다. 로직/파운드리에서 주로 활용되어왔던 판매 전략이며, 증설도, 물량 공급도 선수금 혹은 예치금 수취 후 진행을 하는 구조에 해당합니다. 사이클 변동성을 최소화시킬 수 있는 가장 이상적 변화 구조이며, 해당 구조로의 변화 기회도 충분히 열려있다는 판단입니다.
판매 구조 변화가 현실화될 경우, 메모리반도체 사이클의 변동성은 과거 대비 큰 폭으로 축소될 것이고, 완화된 수급 환경을 활용하여 다양한 시도들을 추가로 진행해볼 수 있을 것이라 생각합니다. TSMC의 영업이익률만큼 안정적인 구조를 확보하긴 어려울지라도, 3개년 평균 수익성을 유사한 수준으로 끌어올릴 수는 있을 것이며, 이는 메모리반도체 Valuation에 있어 유례없는 Premium을 부여할 수 있는 변화가 될 것이라는 판단입니다.
| 구분 | 내용 |
|---|---|
| 기존 판매 정책 유지 |
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| LTA (장기 공급 계약) |
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| 선수금 및 예치금 |
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판매 구조 변화에 있어 현실적 고민이 있다면, 누가 스타트를 끊을지에 있을 것이라 생각합니다. 다년 계약 체결 시, 연간 판매량이 일정 수준 고정되기에 공급업계 입장에서 초과성장 (1등)을 달성하려면, 결국 ASP를 극대화해야 합니다. Cost를 줄이는 방안도 있으나, 기술 난이도 상승으로 과거 대비 연간 원가 절감 폭을 쉽게 가늠하기 어려워지고 있습니다. 결국, “남들보다 1%라도 더 비싸게”라는 Upcycle에서의 관행을 깨기 위한 Incentive가 있어야 합니다. 당사의 경우, 이번에는 변화를 모색할 Incentive가 충분하다고 생각합니다. 구조 개편의 가능성에 무게를 실어봐도 괜찮을 것이라는 판단입니다.
SK하이닉스의 경우, 지속 가능한 성장 모델 마련, 주주환원 강화 등의 목적에서 판매 정책의 변화를 시도할 유인이 충분하다고 생각합니다.
메모리반도체와 비메모리반도체 산업에는 항상 Power 게임이라는 로직이 들어갑니다. AI시대에 요구되는 미래 반도체에선 메모리반도체와 비메모리반도체라는 이분법적 접근이 사라질 수 있으며, 무너지는 경계선 상에서 Power 게임의 승자가 되기 위해 필요한 것은 결국 투자 재원의 안정적 확보입니다.
주주환원도 고려대상입니다. SK 그룹은 지난 2021년 Financial Story를 통해 회사-임직원-주주의 가치 극대화를 위한 솔루션을 마련해갈 것을 언급했고, 메모리반도체 초호황 속, 회사와 임직원들의 가치는 극대화되고 있습니다. 마지막 남은 과제가 있다면, 주주환원 강화일 것이라 생각합니다. 주주환원의 전통적 방식이 배당금 확대, 자사주 매입/소각이었다면, 해당 카드는 물론, 그 이상도 우리는 생각해볼 수 있을 것이라 생각합니다.
그간 한국 시장에서 보기 힘들었던 변화 기회가 펼쳐지고 있고, 이에 필요한 것은 사이클 리스크 축소입니다. 안정적 재원 마련이 필요하고, 이는 판매 구조의 변화를 보다 적극적으로 모색하게 만드는 긍정적 변화로 이어질 것이라 생각합니다.
| 구분 | 내용 |
|---|---|
| ADR |
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| AI Company |
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삼성전자의 경우, AI 시대에 맞춤화된 사업 포트폴리오 구축 및 TSMC와의 격차 축소를 위한 파운드리 투자라는 2가지 목적에서 돈 버는 메모리반도체로의 구조 변화를 모색할 유인이 충분하다고 생각합니다.
CES 2026과 4Q25 DX 사업부문의 수익성은 많은 생각할거리를 제공했다고 생각합니다. 가전/TV의 경우, 중화권 경쟁사들과의 기술 격차를 한눈에 알아보기 쉽지 않았고, 신제품과 신기술이 가져오는 효능감의 증분이 떨어지고 있다는 느낌을 받았습니다. 수익성에서도 변화는 일부 감지되고 있습니다. 돌파구 마련의 필요성이 높아지고 있을 것이라 생각합니다. MX 사업부문도 크게 다르지 않습니다. 지난 20년간의 스마트폰 침투 속, 침투율은 포화 단계에 이르렀고, 스마트폰 출하량은 지난 수년간 박스권에 갇혀있습니다. AI 기능 강화를 기반으로 교체수요를 촉발하려는 노력을 전개하고 있으나, 부품 가격은 그만큼 빠르게 증가하고 있고, 부품 가격 인상분을 무분별하게 가격에 전가시키기도 어려운 상황입니다. 경쟁사에서 공격적 판가 전략을 고수할 경우, 가격의 인상이 점유율의 축소로 이어질 Risk가 있기 때문입니다. 그렇다면, 변화가 필요합니다. AI 시대에 맞춤화된 포트폴리오 구축이 필요할 것이고, 이는 유의미한 M&A가 필요한 가장 큰 이유입니다. 로봇과 같은 신규 디바이스 시장 진출을 목표해볼 수도 있고, AI 중심의 사업 포트폴리오 구축을 위한 강도 높은 R&D 투자를 진행해볼 수도 있습니다. 이에 필요한 것은 결국 재원의 안정적 확보입니다.
로직/파운드리의 경우, 1강 2중 (강: TSMC, 중: 삼성파운드리, 인텔)의 체제를 보이고 있습니다. 1강이 너무 강력한 나머지, 수많은 고객들이 TSMC에 의존하고 있으며, 이는 전략자산이 된 반도체의 구조에 긍정적 변화라 볼 수 없습니다. 합리적 원가 제어 및 공급망 안정화 등의 목적에서 고객들은 2중의 도약을 기다리고 있을 것이고, 삼성파운드리의 포지셔닝은 그만큼 유리해지고 있다는 판단입니다. 당장 TSMC와의 격차를 유의미하게 축소하긴 어려울 것이라 생각합니다. 다만, 기회가 왔을 때, 제 때 잡으려면, 격차 축소를 위한 투자 확대는 필요합니다. DX에서의 현금 창출 능력이 과거 대비 떨어지고 있는 만큼, 돈 버는 메모리반도체가 필요하다는 판단입니다.
세트에서의 AI 맞춤 포트폴리오 구축, TSMC와의 점유율 격차 축소를 위한 파운드리 투자 강화라는 2가지 사업 목표를 동시 달성하고, 주주환원 및 임직원 보상 경쟁력 강화라는 사회적 요구에 대비하기 위해 선택할 수 있는 것은 메모리반도체에서의 장기 물량의 안정성 강화일 것이라 생각합니다. 해당 변화를 위해, 금번에 판매 구조 변화 기회를 모색해볼 유인이 충분하다는 판단입니다.
강한 가격 상승에 기반한 이익 전망 상향분을 한국 반도체 대형주 주가에 보다 반영할 필요가 있습니다. 이를 감안하여, 당사의 새로운 목표주가로 삼성전자 270,000원, SK하이닉스 1,450,000원을 제시합니다. 판매 구조의 변화에 기반한 장기 사이클로의 전환 기대감이 남아있는 만큼 Target Multiple이 하락할 이유 또한 크지 않다는 판단입니다. 판매 구조가 실제로 변화한다면, 사이클 변동성 축소라는 아이디어에 대한 시장의 공감대, 장기 사이클에 대한 기대감 모두 증가할 것이라 생각합니다. 늘어나는 현금 가치와 지속가능한 현금 창출 능력에 시장의 이목이 집중될 것이며, 이 경우, 가치평가의 방식이 변화할 수 있을 것이라는 판단입니다. 그렇다면, 당사가 제시하는 목표주가 그 이상의 변화도 충분히 펼쳐질 수 있을 것이라 생각합니다.
2026년 영업이익 전망치를 기존 142조원에서 174조원으로 상향합니다. 창사 이래 가장 강력한 수익성을 보여줄 것입니다.
2026년 가격 전망 상향분을 반영하여 2026년 영업이익 전망치를 142조원에서 174조원으로 상향합니다. 창사 이래, 가장 강력한 수익성을 보여줄 것입니다.
강력한 수익성 외에도 기대할 수 있는 변화는 다량 남아있다는 판단입니다. 이익 전망 상향분을 반영하여 목표주가를 1,450,000원으로 상향합니다. 판매 정책 변화에 따른 장기 수급 안정성 강화 노력이 현실화될 경우, 기업 가치의 상승 폭은 당사의 현 전망 대비 확대될 수 있으며, 해당 가능성에 주목할 필요가 있습니다.
2026년 메모리반도체 가격 전망 상향분을 반영하여 2026년 영업이익 전망치를 171조원에서 201조원으로 상향합니다. 1Q26 메모리반도체 영업이익 1위 탈환, 연간으로는 200조원대 영업이익 시대를 여는 기념비적 한 해가 될 것입니다.
2026년 메모리반도체 가격 전망 상향분을 반영하여 2026년 영업이익 전망치를 171조원에서 201조원으로 상향합니다. 1Q26 메모리반도체 영업이익 1위 탈환, 연간으로는 200조원대 영업이익 시대를 여는 기념비적 한 해가 될 것입니다.
이익 전망 및 Target P/B 상향 (Target P/B 3.0배 적용)분을 반영하여 목표주가를 270,000원으로 상향합니다. 국민 1등 주식으로의 면모를 추가 발휘할 것입니다.
금융투자업규정 4-20조 1항5호사목에 따라 작성일 현재 사전고지와 관련한 사항이 없으며, 당사의 금융투자분석사는 자료작성일 현재 본 자료에 관련하여 재산적 이해관계가 없습니다. 당사는 동 자료에 언급된 종목과 계열회사의 관계가 없으며 당사의 금융투자분석사는 본 자료의 작성과 관련하여 외부 부당한 압력이나 간섭을 받지 않고 본인의 의견을 정확하게 반영하였습니다. 본 자료는 투자자들의 투자판단에 참고가 되는 정보제공을 목적으로 배포되는 자료입니다. 본 자료에 수록된 내용은 당사 Research Center의 추정치로서 오차가 발생할 수 있으며 정확성이나 완벽성은 보장하지 않습니다. 본 자료를 이용하시는 분은 동 자료와 관련한 투자의 최종 결정은 자신의 판단으로 하시기 바랍니다.
※ 본 콘텐츠는 당사 리서치센터 보고서를 기반으로 생성된 요약·해설 자료입니다. 본 자료는 인공지능(AI)을 활용하여 자동 생성되었으며, 투자자 이해를 돕기 위한 목적입니다. 일부 내용은 원문과 차이가 있을 수 있으며, 최종 투자 판단은 원문 보고서를 참고하시기 바랍니다. 본 자료는 투자 권유를 목적으로 하지 않으며, AI 생성 특성상 오류가 포함될 수 있습니다.